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近，有飛納電鏡用戶詢問關(guān)于電子束分析樣品時(shí)可以穿透樣品的深度的問題，這里小編將為大家詳細(xì)介紹一下。
掃描電鏡是利用聚焦電子束進(jìn)行微區(qū)樣品表面形貌和成分分析，電子從發(fā)射源（燈絲）經(jīng)光路系統(tǒng)終到達(dá)樣品表面，電子束直徑可到 10 nm 以下，場發(fā)射電鏡的聚集電子束直徑會更小。
聚焦電子束到達(dá)樣品表面會激發(fā)出多種物理信號，包括二次電子（SE），背散射電子（BSE），俄歇電子（AE）、特征X 射線（X-ray）、透射電子（TE）等。
· 二次電子 信號主要來自樣品表面，其深度范圍 10 nm ，成像具有較高分辨率，能夠很好的反映樣品形貌特征。
· 背散射電子 是入射電子被樣品原子核反彈回來的部分電子，電子能量較高，信號深度范圍可到 2 μm。
· X 射線 可以從樣品較深的位置出射，其深度范圍可到 5 μm。
圖1 不同樣品信號深度
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